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射频晶体管
BF 771 E6327参考图片

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BF 771 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
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1
¥3.616
3.616
10
¥2.5764
25.764
100
¥1.1865
118.65
1,000
¥0.91417
914.17
3,000
¥0.77631
2328.93
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BF771
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.08 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
8000 MHz
最大直流电集电极电流
0.08 A
Pd-功率耗散
580 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BF771E6327HTSA1 BF771E6327XT SP000010967
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BF 771 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTVA047002EV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥2,955.8088
参考库存:15251
AFT18S260W31SR3
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT18S260W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥912.8592
参考库存:15254
PH2729-130M
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥3,172.7236
参考库存:1766
PD20015-E
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射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 13.6V 15W LDMOST family
1:¥180.0316
5:¥178.1897
10:¥166.0535
25:¥158.5955
参考库存:2065
PD57006TR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
600:¥85.9026
参考库存:15261
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