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射频晶体管
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PTFB193404F-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥1,281.0019
64050.095
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参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
19 dB
输出功率
340 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275-6/2
封装
Reel
工作频率
1930 MHz to 1990 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB193404F-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2V07H525-04NR6
NXP Semiconductors
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1:¥3.6838
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100:¥1.1978
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3,000:¥0.78422
参考库存:8639
D1014UK
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-500MHz SE
50:¥462.1926
100:¥449.4349
参考库存:16318
0405SC-2200M
Microchip / Microsemi
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5:¥17,315.668
参考库存:16321
1214-30
Microchip / Microsemi
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1:¥2,215.4554
2:¥2,162.1194
5:¥2,139.1465
10:¥2,108.4105
参考库存:2832
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