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无线和射频半导体

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CGH27030S

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
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数量单价合计
1
¥404.1784
404.1784
250
¥404.1784
101044.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
84 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
7 A
输出功率
30 W
最大漏极/栅极电压
28 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
21.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
应用
Telecom
配置
Single
工作频率
2.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格,CGH27030S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频混合器 Hi-Perf Low Distort 500 MHz
1:¥115.034
10:¥104.4233
25:¥98.1292
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2:¥362.6057
5:¥352.5374
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1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.3786
1,000:¥0.99892
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1:¥48.9516
10:¥44.0248
25:¥41.4145
50:¥38.9624
参考库存:1592
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,529.1951
2:¥1,492.391
5:¥1,470.5594
10:¥1,449.7448
参考库存:1474
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