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无线和射频半导体
MRF6V12500HSR5参考图片

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MRF6V12500HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS
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库存:30,964(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥2,720.9835
136049.175
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
18.5 dB
输出功率
50 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.96 GHz to 1.215 GHz
系列
MRF6V12500H
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
零件号别名
935314145178
单位重量
4.763 g
商品其它信息
优势价格,MRF6V12500HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器 400 deg Analog Phase Shifter 5 - 18 GHz
2:¥1,430.1506
6:¥1,409.9349
10:¥1,369.673
26:¥1,299.1384
参考库存:4020
无线和射频半导体
射频放大器 10 GHz gain block, Linr Drive/Gain Block
1:¥158.5164
10:¥143.849
25:¥135.1593
50:¥130.1647
参考库存:5430
无线和射频半导体
射频放大器 Broadband Gain Block
1:¥23.6622
10:¥22.3627
25:¥17.8992
50:¥16.9839
2,500:¥10.7576
参考库存:6255
无线和射频半导体
射频放大器 DC-500MHz SSG 20.5dB NF 2.8dB
1:¥47.8668
25:¥36.6572
100:¥28.6568
250:¥23.7413
500:¥21.2892
1,000:¥18.7467
参考库存:4230
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V Quad Output Zero Delay Buffer
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
2,500:¥3.5821
参考库存:5672
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