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无线和射频半导体
ST9060C参考图片

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ST9060C

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
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数量单价合计
50
¥466.9612
23348.06
100
¥432.7674
43276.74
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
12 A
Vds-漏源极击穿电压
90 V
增益
17.3 dB
输出功率
80 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M243-3
工作频率
1.5 GHz
系列
ST9060C
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
170 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
2.9 V
商品其它信息
优势价格,ST9060C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC Switches
1:¥503.2229
5:¥495.3129
10:¥478.103
25:¥462.3508
参考库存:2039
无线和射频半导体
射频放大器 .05-6GHz SSG 15.5dB NF 4.3dB
1:¥37.1092
25:¥28.4308
100:¥22.2045
250:¥18.4416
500:¥16.5206
1,000:¥14.5205
参考库存:12151
无线和射频半导体
射频放大器 .7-3.8GHz GaAs Gain 16.5dB
1:¥9.831
10:¥9.379
100:¥8.6784
250:¥7.6275
2,500:¥3.2996
参考库存:6500
无线和射频半导体
射频放大器 ISL59442IBZ 1GHZ 4X1 VID CROSPOINT SWITCH
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.8704
3,000:¥4.8138
参考库存:4648
无线和射频半导体
射频放大器 .01-6GHz NF .7dB Gain 17.5dB
1:¥74.9981
10:¥71.303
100:¥65.6982
250:¥58.1724
1,500:¥25.1312
参考库存:3130
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