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无线和射频半导体
HMC8108LC5参考图片

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HMC8108LC5

  • Analog Devices
  • 新批次
  • 上下转换器 9-10 GHz I/Q LNC
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库存:3,666(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥405.1728
405.1728
5
¥393.7259
1968.6295
10
¥378.0528
3780.528
25
¥350.9328
8773.32
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
上下转换器
RoHS
产品
Down Converters
射频
9 GHz to 10 GHz
中频
0.02 GHz to 1 GHz
LO频率
9 GHz to 10 GHz
增益
13 dB
P1dB - 压缩点
- 4 dBm
NF—噪声系数
2 dB
工作电源电压
3 V
工作电源电流
30 mA
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LCC-32
封装
Cut Tape
系列
HMC8108
技术
GaAs
商标
Analog Devices
开发套件
EVAL-HMC8108
最小工作温度
- 40 C
湿度敏感性
Yes
OIP3 - 三阶截点
-
产品类型
Up-Down Converters
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC8108LC5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
10:¥245.2778
参考库存:1902
无线和射频半导体
射频检测器 100kHz to 1GHz RF Pwr Detector
1:¥29.1992
25:¥19.3682
100:¥15.9782
250:¥15.2098
500:¥13.8312
1,500:¥13.5261
参考库存:6127
无线和射频半导体
RF 开关 IC 20MHz-6GHz SP4T GaAs IL .45dB @ 1GHz
1:¥12.6786
10:¥11.4469
25:¥10.3734
100:¥9.2208
3,000:¥7.571
参考库存:7505
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V
1:¥122.6389
10:¥112.7288
25:¥107.802
100:¥95.2025
500:¥82.2188
参考库存:2298
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
1:¥88.2869
10:¥79.7554
25:¥69.5402
100:¥66.0824
1,000:¥48.6352
参考库存:2323
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