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无线和射频半导体
BFR 181 E6327参考图片

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BFR 181 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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库存:7,807(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.2487
22.487
100
¥1.02943
102.943
1,000
¥0.791
791
3,000
¥0.67574
2027.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR181
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.9 mm
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
175 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327XT SP000011047
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BFR 181 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Spread Aware COM Zero Delay Buffer
1:¥42.1038
10:¥37.6516
25:¥33.8887
100:¥30.8942
参考库存:1572
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC IC RF ZigBee 802.15.4 SoC 2.4Ghz
1:¥42.4202
10:¥38.1149
100:¥31.1993
250:¥29.2783
500:¥26.5889
参考库存:1312
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.616
10:¥3.0171
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.2091
参考库存:3440
无线和射频半导体
射频放大器 WIDEBAND AMPLIFIER
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:9986
无线和射频半导体
射频放大器 .3-3GHz 10W Gain 21dB GaN
1:¥1,075.76
25:¥860.608
100:¥683.876
参考库存:1170
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