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无线和射频半导体
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MRF166C

  • MACOM
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13.5 dB
输出功率
20 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
319-07
封装
Tray
配置
Single
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
70 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
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