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无线和射频半导体
A3G18H500-04SR3参考图片

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A3G18H500-04SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G18H500-04S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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库存:53,287(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,060.6971
265174.275
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
200 mA
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
15.4 dB
输出功率
107 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4L
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935351522128
单位重量
3.306 g
商品其它信息
优势价格,A3G18H500-04SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 256 kB M4, +13/ 20 dBm Pro2+, QFN64 wireless MCU
1:¥56.0932
10:¥53.0196
25:¥51.4828
50:¥49.8669
参考库存:2960
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 36V 1030-1090 MHz LDMOS TRANSISTOR
1:¥1,281.2279
5:¥1,250.345
10:¥1,219.2926
25:¥1,202.2409
参考库存:2914
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
1:¥1,272.0862
25:¥1,110.1798
参考库存:2937
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC SmartMesh IP Mote-on-Chip, Eterna (QFN), unprogrammed
1:¥178.4948
25:¥142.7642
100:¥116.3335
250:¥113.7232
500:¥109.3388
参考库存:2918
无线和射频半导体
射频放大器 2.7V Cell-Band Linear Power Amp
1:¥48.1041
10:¥45.7198
25:¥37.6516
50:¥35.7306
参考库存:3011
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