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无线和射频半导体
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MMBT5401-G

  • Comchip Technology
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 VCEO=-150V IC=-600mA
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2.147
10
¥1.3673
13.673
100
¥0.62263
62.263
1,000
¥0.39211
392.11
3,000
¥0.29945
898.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Comchip Technology
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MMBT5401
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 150 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极连续电流
- 0.6 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
100 MHz
输出功率
-
类型
RF Bipolar Power
商标
Comchip Technology
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，MMBT5401-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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