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无线和射频半导体
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GTVA104001FA-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 400W
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1
¥4,191.7802
4191.7802
50
¥4,191.7802
209589.01
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
4.6 A
输出功率
400 W
最大漏极/栅极电压
-
安装风格
Flange Mount
封装 / 箱体
H-37265J-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
960 MHz to 1.215 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
开发套件
LTN/GTVA104001FA-V1
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，GTVA104001FA-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MC34981ABHFKR2
NXP / Freescale
无线和射频半导体
RF 开关 IC HF 4.0MOHM RESON SWITCH
1:¥64.8507
10:¥58.6244
25:¥52.6354
100:¥48.4883
1,200:¥36.8041
参考库存:16792
HMC7447
Analog Devices
无线和射频半导体
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25:¥444.4403
100:¥411.9415
参考库存:16795
MAX19790ETX+T
Maxim Integrated
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衰减器 250MHz - 4000MHz Attenuator
2,500:¥52.7145
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EZR32WG230F256R60G-B0
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1:¥50.5562
10:¥47.799
25:¥46.4091
50:¥44.9514
参考库存:16801
H-183-4-SMA
MACOM
无线和射频半导体
射频无线杂项 30MHZ-3GHz, Iso 20dB IL 2.5dB Max
1:¥20,579.673
参考库存:16804
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