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无线和射频半导体
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TGF2160

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE
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100
¥132.7072
13270.72
300
¥124.0175
37205.25
500
¥115.9493
57974.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
10.4 dB
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V
Id-连续漏极电流
517 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Dual
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
619 mS
通道数量
2 Channel
P1dB - 压缩点
32.5 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098617
商品其它信息
优势价格，TGF2160的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF6VP3091NBR5
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W
50:¥524.659
100:¥486.239
参考库存:13662
MMRF1006HR5
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
50:¥3,278.2995
参考库存:13665
RI-INL-W007-40
Texas Instruments
无线和射频半导体
RFID应答器 24mm Disk Inlay EN14805
1:¥29.041
10:¥26.0465
100:¥21.4361
250:¥20.0575
参考库存:13668
SM4A
MACOM
无线和射频半导体
射频混合器 LO/RF 10-1500MHz IF DC-1000MHz
1:¥1,165.5837
10:¥1,122.4064
参考库存:13671
A3T21H450W23SR6
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H450W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,035.3399
5:¥1,014.9773
10:¥967.6416
25:¥947.3581
100:¥899.9546
150:¥837.1718
参考库存:13674
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