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无线和射频半导体
PD84008L-E参考图片

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PD84008L-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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数量单价合计
1
¥73.3031
73.3031
10
¥66.3084
663.084
25
¥63.2348
1580.87
100
¥54.8615
5486.15
3,000
¥40.115
120345
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
25 V
增益
13 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT (5x5)
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
0.88 mm
长度
5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD84008L-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
5 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
26.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD84008L-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 PIN ATTENUATOR, SOD-882
1:¥4.0002
10:¥3.4465
100:¥2.5764
500:¥2.0227
3,000:¥1.3786
参考库存:7735
无线和射频半导体
衰减器 6dB 50ohm
1:¥2.7685
10:¥2.3843
25:¥2.147
100:¥1.8645
5,000:¥1.02152
参考库存:25107
无线和射频半导体
射频放大器 LNAs w/Step Attenuator & VGA
1:¥34.578
10:¥32.657
25:¥26.1256
50:¥24.8148
2,500:¥15.8313
参考库存:6267
无线和射频半导体
上下转换器 1700-2200MHz Downconversion Mixer
1:¥155.7592
10:¥147.9961
25:¥103.8131
50:¥82.6821
参考库存:4329
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥599.352
10:¥499.46
25:¥449.514
50:¥399.568
参考库存:4276
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