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无线和射频半导体
HMC637A-SX参考图片

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HMC637A-SX

  • Analog Devices / Hittite
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  • 射频放大器 DistributedAmplifier Sample Pack
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数量单价合计
2
¥2,052.7806
4105.5612
6
¥2,023.7396
12142.4376
10
¥1,965.9514
19659.514
26
¥1,864.7486
48483.4636
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
类型
Power Amplifier
技术
GaAs
工作频率
DC to 6 GHz
P1dB - 压缩点
30.5 dBm
增益
14 dB
工作电源电压
12 V
NF—噪声系数
4 dB
测试频率
DC to 6 GHz
OIP3 - 三阶截点
43 dBm
工作电源电流
400 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC637
封装
Waffle
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
14 dB
Pd-功率耗散
5.6 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
2
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC637A-SX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 MF1PH4101DA4/PLLMC//02/REEL 13 Q1 NDP
17,500:¥6.4975
参考库存:53925
无线和射频半导体
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36,000:¥0.91417
72,000:¥0.89157
108,000:¥0.85315
参考库存:53928
NJR
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RF 开关 IC HP SP4T Switch GaAs 1.35 to 5.0V 32dBm
3,000:¥3.8081
参考库存:53931
无线和射频半导体
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暂无价格
参考库存:53934
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无线和射频半导体
调节器/解调器 HF DPD DSA RF 800MHz 42dBm 200Ohm 230mA
490:¥94.5132
980:¥88.366
参考库存:53937
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