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无线和射频半导体
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D1002UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-175HMz SE
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数量单价合计
1
¥499.3809
499.3809
10
¥439.1406
4391.406
25
¥390.3472
9758.68
50
¥350.1644
17508.22
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
16 dB
输出功率
40 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DA
配置
Single
高度
6.6 mm
长度
24.76 mm
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.52 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
87 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D1002UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFR 93A E6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.8476
10:¥2.2035
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72207
参考库存:26879
MA4PH237-1079T
MACOM
无线和射频半导体
PIN 二极管 Rs=.6ohm Ct=1.5pF CERMACHIP
1:¥58.3984
10:¥52.5563
25:¥47.799
100:¥43.2564
750:¥30.5778
参考库存:2472
SE2432L-R
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频前端 2.4GHz Zigbee Rx Gain 10 dB
1:¥26.4307
10:¥23.5944
25:¥21.2101
100:¥19.3682
3,000:¥11.9102
参考库存:6273
MAX2232EEE+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频放大器 900MHz ISM-Band 250mW Power Amp
1:¥34.4198
25:¥27.0522
50:¥23.3571
250:¥22.8938
参考库存:2647
BAR6402ELE6327XTMA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
PIN 二极管 RF DIODES
1:¥2.6103
10:¥1.695
100:¥0.72207
1,000:¥0.56048
15,000:¥0.35369
参考库存:33371
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