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无线和射频半导体
PTFB091802FC-V1-R250参考图片

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PTFB091802FC-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:52,402(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥524.7381
131184.525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
增益
19.5 dB
输出功率
180 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
920 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB091802FC-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,451.9709
2:¥1,417.0878
5:¥1,396.341
10:¥1,376.5095
参考库存:3226
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.52206
参考库存:17235
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-4 GHZ Hi Isolation Switch
1:¥51.9461
10:¥46.9515
50:¥44.7932
100:¥38.8833
参考库存:3578
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.3844
10:¥3.6386
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.469
参考库存:6895
无线和射频半导体
上下转换器 SiGe 400-1000MHz Downconversion Mixer
1:¥117.4861
10:¥107.9602
25:¥91.4396
100:¥80.3769
1,000:¥73.8455
参考库存:3264
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