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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	IDT (Integrated Device Technology)
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-28
类型	TX Digital VGA
工作频率	2100 MHz to 2950 MHz
P1dB - 压缩点	21.9 dBm
增益	32.1 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	21.5 dB
测试频率	2.65 GHz
OIP3 - 三阶截点	25.7 dBm
工作电源电流	215 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 105 C
系列	F1456
封装	Tray
商标	IDT
通道数量	1 Channel
输入返回损失	12 db
Pd-功率耗散	1.75 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	490
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
商标名	FlatNoise

商品其它信息

优势价格，F1456NKGK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
HMC8193LC4TR	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频混合器 Mixers	100:¥330.186 200:¥320.7279	参考库存:14575
EFR32FG13P232F512GM48-C	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN48 2.4 G 19 dB proprietary 512 kB 646 kB (RAM) 31GPIO SoC	1:¥50.3302 10:¥47.4826 25:¥46.104 50:¥44.7254	参考库存:14578
HMC-APH196-SX	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 GaAs HEMT MMIC Med pow amp 17 - 30 GHz	2:¥1,122.09 6:¥1,106.1909 10:¥1,074.6074 26:¥1,019.2826	参考库存:14581
MRF8S9220HSR3	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S	1:¥952.9742 5:¥934.4535 10:¥903.6384 25:¥865.3766 250:¥775.9258	参考库存:14584
MAAV-011013-TR1000	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 5-45GHz IL 1.5dB Atten. >30dB	1:¥94.8183 10:¥86.0608 25:¥79.7554 50:¥75.2241 1,000:¥55.5508	参考库存:14587