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无线和射频半导体
PD55015TR-E参考图片

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PD55015TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
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数量单价合计
1
¥156.9118
156.9118
5
¥155.2959
776.4795
10
¥144.7643
1447.643
25
¥138.2329
3455.8225
600
¥112.2655
67359.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14 dB
输出功率
15 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55015-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
73 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD55015TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 Mainstrm contactless smart card IC
1:¥9.6841
10:¥8.2942
100:¥6.3506
500:¥5.6048
16,500:¥3.6612
参考库存:33605
无线和射频半导体
RFID应答器 PRH601HL/LQFP100//C1/TRAY MULTIPLE DP BAKEABLE
1:¥89.1344
10:¥81.9928
25:¥78.6028
100:¥69.2351
参考库存:3432
无线和射频半导体
射频放大器 DVGA, 850 - 1035 MHz 2.38 dBm, 32 dB
1:¥105.9601
25:¥81.1453
100:¥63.393
250:¥52.4772
2,500:¥41.3354
参考库存:5442
IDT
无线和射频半导体
衰减器 75 Ohm Voltage Variable RF Attenuator
1:¥35.9566
10:¥32.1146
25:¥28.8941
50:¥27.6624
参考库存:3869
无线和射频半导体
射频收发器 Bluetooth IC 2dBm 3.6V
1:¥33.3463
10:¥26.8149
100:¥24.4306
250:¥22.0576
2,000:¥15.9104
参考库存:4936
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