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无线和射频半导体
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AFM907NT1

  • NXP Semiconductors
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power
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数量单价合计
1
¥19.6733
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10
¥18.0574
180.574
25
¥16.3624
409.06
100
¥14.7578
1475.78
1,000
¥11.0627
11062.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
30 V
增益
15 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-16
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
136 MHz to 941 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
9.8 S
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
65.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V , 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
零件号别名
935346918515
单位重量
0.001 mg
商品其它信息
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