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无线和射频半导体
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2N6439

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数量单价合计
1
¥668.508
668.508
10
¥557.09
5570.9
25
¥501.381
12534.525
50
¥445.672
22283.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
33 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
316-01
封装
Tray
工作频率
400 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
增益带宽产品fT
400 MHz
Pd-功率耗散
146 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,2N6439的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
预定标器 InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 13 GHz
暂无价格
参考库存:33255
无线和射频半导体
数字电位计 IC 256-Tap, Nonvolatile, IC-Interface, Digital Potentiometers
1:¥21.8994
10:¥20.8259
25:¥19.8202
100:¥19.7524
2,000:¥19.5151
参考库存:1396
无线和射频半导体
预定标器 InGaP HBT Divide-by-4 SMT, 10 - 26 GHz
暂无价格
参考库存:33260
无线和射频半导体
射频放大器 27-31GHz PAE 28% GaN Gain 23dB GaN
暂无价格
参考库存:33266
无线和射频半导体
射频放大器 27.5-33.4GHz Gain 21dB P1dB 20dBm
暂无价格
参考库存:33269
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