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无线和射频半导体
LT5500EGN#PBF参考图片

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LT5500EGN#PBF

  • Analog Devices
  • 新批次
  • 射频前端 Low Voltage RF Receiver Front End
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库存:4,680(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥59.4719
59.4719
25
¥39.4935
987.3375
100
¥32.657
3265.7
250
¥30.962
7740.5
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频前端
RoHS
类型
RF Front End
工作频率
1.8 GHz to 2.7 GHz
NF—噪声系数
2.5 dB
工作电源电压
1.8 V to 5.25 V
工作电源电流
23 mA
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOP-24
封装
Tube
高度
1.75 mm
系列
LT5500
商标
Analog Devices
增益
18.5 dB
最小工作温度
- 40 C
OIP3 - 三阶截点
- 12 dBm
P1dB - 压缩点
- 24 dBm
产品类型
RF Front End
工厂包装数量
55
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,LT5500EGN#PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频接收器 (Not Recommended for New Designs)Low Power 300-440MHz High Sensitivity Receiver
1:¥19.6733
10:¥19.3682
25:¥18.0574
100:¥16.3624
参考库存:2018
无线和射频半导体
射频接收器 400-450MHz ASK/OOK Receiver w/ Auto-Poll, RSSI, Squelch
1:¥15.9104
10:¥15.6731
25:¥14.5205
100:¥13.221
500:¥13.221
参考库存:2447
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:6639
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥779.5418
2:¥755.4163
5:¥755.179
10:¥730.8275
参考库存:1957
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU SAMR21 48pin 64K 85oC
1:¥31.3462
10:¥30.8942
25:¥28.6568
参考库存:2358
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