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无线和射频半导体
MRF13750HSR5参考图片

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MRF13750HSR5

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF13750HS/CFM4F///REEL 13
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库存:54,313(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥1,409.788
70489.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
20.5 dB
输出功率
750 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S-4S
封装
Reel
工作频率
700 MHz to 1300 MHz
系列
MRF13750H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.333 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935360898178
商品其它信息
优势价格,MRF13750HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器 6-bit Digital Phase Shifter 1.2 to 1.4
1:¥604.4257
5:¥594.8998
10:¥574.2208
25:¥555.3272
参考库存:3816
IDT
无线和射频半导体
RF 开关 IC High Linearity Broadband SPDT Switch
1:¥31.3462
10:¥28.0466
25:¥25.199
100:¥22.9729
参考库存:7137
无线和射频半导体
射频前端 3.6-3.8GHz Switch LNA Module
1:¥224.531
25:¥171.9634
100:¥134.3118
参考库存:3911
无线和射频半导体
射频前端 2.4 to 2.5 GHz 4.9 to 5.85 GHz
1:¥32.2728
250:¥29.5834
500:¥25.8205
1,000:¥21.5152
2,500:¥17.2099
参考库存:6313
无线和射频半导体
衰减器 5-1500MHz 75 Ohm .5dB steps 6 Bit
1:¥12.6786
250:¥11.9102
500:¥11.30
1,000:¥10.5994
2,500:¥10.1474
5,000:¥9.6841
参考库存:6088
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