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无线和射频半导体
F0448NBGK参考图片

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F0448NBGK

  • IDT
  • 新批次
  • 射频放大器 Dual Matched Broadband RF DVGA
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库存:54,308(价格仅供参考)
数量单价合计
490
¥75.4614
36976.086
980
¥70.6137
69201.426
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
IDT (Integrated Device Technology)
产品种类
射频放大器
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-32
类型
DVGA
工作频率
3.4 GHz to 3.8 GHz
P1dB - 压缩点
24 dBm
增益
13 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
5.9 dB
测试频率
3.6 GHz
OIP3 - 三阶截点
37 dBm
工作电源电流
220 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 105 C
系列
F0448
封装
Tray
商标
IDT
通道数量
2 Channel
输入返回损失
15 dB
Pd-功率耗散
1.5 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
490
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商标名
FlatNoise
商品其它信息
优势价格,F0448NBGK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V
50:¥4,243.263
参考库存:29488
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 64 kB M4, USB, +13/+20 dBm Pro2+, QFN64 wireless MCU
260:¥39.9568
520:¥37.6516
1,040:¥37.1092
参考库存:29491
无线和射频半导体
上下转换器 Microwave HIR
250:¥619.4886
参考库存:29494
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥500.5335
参考库存:29497
无线和射频半导体
射频前端 4.9-5.85GHz FEM WiFi 802.11a/n/ac
100:¥19.8202
200:¥18.2156
参考库存:29500
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