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分立半导体
RN1961FE(TE85L,F)参考图片

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RN1961FE(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.0679
20.679
100
¥0.86106
86.106
1,000
¥0.59212
592.12
4,000
¥0.44522
1780.88
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
是
配置
Dual
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
4.7 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
Pd-功率耗散
100 mW
系列
RN1961
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格，RN1961FE(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GLL4754A-E3/96
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 39 Volt 1.0W 5%
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,500:¥1.7854
4,500:查看
参考库存:3870
SS2P2LHM3/84A
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20volt 2.0amp
1:¥4.068
10:¥2.8137
100:¥1.8984
500:¥1.5255
3,000:¥1.05316
6,000:查看
参考库存:5972
DMN2041LSD-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,500:¥1.2317
参考库存:6386
BAT54W-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30Volt 200mA Single
1:¥2.9945
10:¥1.7176
100:¥0.92208
500:¥0.73789
10,000:¥0.3842
20,000:查看
参考库存:11969
IRFU1205PBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFT 55V 37A 27mOhm 43.3nC
1:¥7.8422
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.5652
1,000:¥3.6047
参考库存:3885
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