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分立半导体
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BLF378

  • Advanced Semiconductor, Inc.
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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1
¥1,110.338
1110.338
10
¥1,018.8984
10188.984
25
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50
¥809.8936
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
18 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-262A
封装
Tray
配置
Single
工作频率
225 MHz
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
500 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
7 V
单位重量
30 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TZX8V2A-TAP
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BZX84W-C56X
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100:¥0.5763
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
参考库存:49479
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