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分立半导体
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BLF378

  • Advanced Semiconductor, Inc.
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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1
¥1,110.338
1110.338
10
¥1,018.8984
10188.984
25
¥914.396
22859.9
50
¥809.8936
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
18 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-262A
封装
Tray
配置
Single
工作频率
225 MHz
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
500 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
7 V
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格，BLF378的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STTH506DTI
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 5.0 Amp 600 Volt
1:¥21.357
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
参考库存:6451
ZXMP10A18KTC
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET P-Ch 100 Volt 5.2A
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
2,500:¥4.6104
参考库存:57612
IRFU2405PBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFT 55V 56A 16mOhm 70nC
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4806
500:¥6.6105
1,000:¥5.2206
参考库存:9581
STP5NK50Z
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 500 Volt 4.4 A Zener SuperMESH
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.7574
500:¥5.9777
参考库存:7747
FDMD8280
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET FET 80V 8.2 MOHM PQFN
1:¥21.2101
10:¥18.0574
100:¥15.6731
250:¥14.8256
3,000:¥10.6785
参考库存:5260
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