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分立半导体
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FDD86381-F085

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1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.2206
52.206
100
¥3.3674
336.74
1,000
¥2.7007
2700.7
2,500
¥2.2713
5678.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
45 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
48.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDD86381_F085
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
FDD86381_F085
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格，FDD86381-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
K1V22-7061
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1,000:¥32.883
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分立半导体
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1,200:¥5.1867
2,400:¥4.7008
4,800:¥4.5991
9,600:¥4.2149
参考库存:32720
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参考库存:32723
TS6P01G D2
Taiwan Semiconductor
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桥式整流器 6A, 50V, SIL BRIDGE RECTIFIER
1,200:¥4.3844
2,400:¥4.2827
参考库存:32726
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