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分立半导体
CSD85301Q2参考图片

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CSD85301Q2

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET CSD85301Q2 Dual N- Channel Power MOSFET
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库存:3,879(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.842
38.42
100
¥2.3504
235.04
1,000
¥1.8193
1819.3
3,000
¥1.5481
4644.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-FET-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5.4 nC, 5.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
CSD85301Q2
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
2 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
20 S, 20 S
下降时间
15 ns, 15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns, 26 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns, 14 ns
典型接通延迟时间
6 ns, 6 ns
单位重量
9.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD85301Q2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100V 30A SMPD(TO-263AC)
1:¥12.3735
10:¥10.2943
100:¥7.9891
500:¥6.9947
1,000:¥5.7969
2,000:¥5.7969
参考库存:5608
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V Vr; 0.2A IO SOD-523; EMD2
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
2,500:¥0.35369
8,000:¥0.30736
参考库存:14227
分立半导体
肖特基二极管与整流器 650V 20A SIC SBD
1:¥47.0306
10:¥42.488
25:¥40.4992
100:¥35.1882
参考库存:3931
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V Vr; 0.03A IO SOD-323FL; UMD2
1:¥3.1527
10:¥2.0453
100:¥0.87575
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:11683
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-416FL 4.7kO Input Resist
1:¥1.4577
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:12508
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