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分立半导体
CSD85301Q2参考图片

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CSD85301Q2

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET CSD85301Q2 Dual N- Channel Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.842
38.42
100
¥2.3504
235.04
1,000
¥1.8193
1819.3
3,000
¥1.5481
4644.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-FET-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5.4 nC, 5.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
CSD85301Q2
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
2 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
20 S, 20 S
下降时间
15 ns, 15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns, 26 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns, 14 ns
典型接通延迟时间
6 ns, 6 ns
单位重量
9.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD85301Q2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 15 Volt 0.5W 2% AUTO
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.84524
500:¥0.72207
10,000:¥0.32318
20,000:查看
参考库存:25126
分立半导体
整流器 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
1:¥3.3787
10:¥1.9662
100:¥1.1413
500:¥0.92999
5,500:¥0.59212
11,000:查看
参考库存:25129
分立半导体
稳压二极管 51 Volt 0.5W 2%
1:¥2.9154
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
3,000:¥0.47686
6,000:查看
参考库存:25132
分立半导体
稳压二极管 24 Volt 0.3W 5% CA
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
3,000:¥0.47686
6,000:查看
参考库存:25135
分立半导体
稳压二极管 7.5Volt 0.3 Watt 5%
1:¥2.4634
10:¥1.6498
100:¥0.80682
500:¥0.68365
3,000:¥0.4068
6,000:查看
参考库存:25138
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