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分立半导体
CSD85301Q2参考图片

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CSD85301Q2

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET CSD85301Q2 Dual N- Channel Power MOSFET
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库存:3,879(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.842
38.42
100
¥2.3504
235.04
1,000
¥1.8193
1819.3
3,000
¥1.5481
4644.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-FET-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5.4 nC, 5.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
CSD85301Q2
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
2 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
20 S, 20 S
下降时间
15 ns, 15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns, 26 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns, 14 ns
典型接通延迟时间
6 ns, 6 ns
单位重量
9.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD85301Q2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥6.3054
10:¥5.4353
100:¥4.1697
500:¥3.6838
1,000:¥2.9154
参考库存:2192
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 1 Watt 10%
1:¥4.4522
10:¥2.5764
100:¥1.5029
500:¥1.2204
5,000:¥0.77631
10,000:查看
参考库存:7683
分立半导体
MOSFET DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A
1:¥3.842
10:¥2.9832
100:¥1.6159
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.04525
9,000:¥0.97632
参考库存:4159
分立半导体
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥7.7631
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
参考库存:3153
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:7622
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