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分立半导体
STD16N65M2参考图片

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STD16N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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数量单价合计
1
¥18.1365
18.1365
10
¥15.368
153.68
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.8367
5418.35
2,500
¥8.3733
20933.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
320 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
19.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD16N65M2
商标
STMicroelectronics
下降时间
11.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.2 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
11.3 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD16N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10,000:¥0.28476
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