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分立半导体
IRLB8314PBF参考图片

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IRLB8314PBF

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库存:2,192(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.4353
54.353
100
¥4.1697
416.97
500
¥3.6838
1841.9
1,000
¥2.9154
2915.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
171 A
Rds On-漏源导通电阻
1.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
307 S
下降时间
72 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
142 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
SP001572766
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRLB8314PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 60 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
1:¥2.6103
10:¥1.7854
100:¥0.87575
500:¥0.7458
2,500:¥0.44522
5,000:查看
参考库存:26696
分立半导体
MOSFET MOSFET P-CHANNEL 60V
1:¥15.8313
10:¥13.221
800:¥13.221
参考库存:3802
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 160Vcbo 150Vceo 5.0Vebo 600mA 250mW
1:¥3.2996
10:¥2.3843
100:¥1.3673
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:10211
分立半导体
SCR 4.0 Amp 600 Volt
1:¥9.2999
10:¥7.9891
100:¥6.0907
500:¥5.3788
参考库存:4763
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 2A 100V
1:¥4.6104
10:¥3.8533
100:¥2.3391
1,000:¥1.808
2,000:¥1.5481
参考库存:11924
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