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分立半导体
CSD87501LT参考图片

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CSD87501LT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V Dual N-Ch Common Drain NexFET
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库存:43,306(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥5.2093
1302.325
500
¥4.5991
2299.55
1,000
¥3.6386
3638.6
2,500
¥3.2205
8051.25
10,000
¥3.1075
31075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
BGA-10
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
商标名
NexFET
封装
Reel
高度
0.2 mm
长度
3.37 mm
系列
CSD87501L
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.47 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
712 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
260 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
709 ns
典型接通延迟时间
164 ns
单位重量
3.100 mg
商品其它信息
优势价格,CSD87501LT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG
1:¥36.4199
10:¥30.962
100:¥26.8149
250:¥25.4363
500:¥22.826
800:¥22.826
参考库存:3557
分立半导体
双向可控硅 60V 16A 35mA HI TEMP TO-220AB Non-Isolate
1:¥23.5153
10:¥18.9049
100:¥17.2099
250:¥15.594
500:¥13.9894
参考库存:4014
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥54.0931
10:¥48.8725
25:¥46.6464
100:¥40.4992
3,000:¥29.5834
参考库存:4731
分立半导体
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥281.7768
5:¥278.8501
10:¥259.8774
25:¥248.2723
参考库存:3455
分立半导体
SCR 16A High Temp Thyristor
1:¥15.6731
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
1,000:¥7.3224
参考库存:3984
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