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分立半导体
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BSG0811NDATMA1

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数量单价合计
1
¥16.3624
16.3624
10
¥13.9103
139.103
100
¥11.1418
1114.18
500
¥9.7632
4881.6
5,000
¥7.2659
36329.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TISON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms, 700 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
8.4 nC, 29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.15 mm
长度
6 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
46 S, 90 S
下降时间
1.4 ns, 2.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.7 ns, 4.3 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.3 ns, 8.8 ns
典型接通延迟时间
4.3 ns, 5.6 ns
零件号别名
BSG0811ND SP001075902
商品其它信息
优势价格，BSG0811NDATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
F1827CCH1600
Crydom
分立半导体
分立半导体模块 25A 600VAC MODULE SCR/DIODE
1:¥620.0988
10:¥590.9787
25:¥577.3735
50:¥563.7796
100:¥547.3268
参考库存:39947
RN2403,LF
Toshiba
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 22kohm -100mA -50V
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
参考库存:39950
VS-2KBB05R
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 50 Volt 1.9 Amp
1:¥15.7522
10:¥13.1419
100:¥10.1474
500:¥8.9157
参考库存:39953
BSM15GD120DN2E3224
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 25A
1:¥499.686
5:¥488.5442
10:¥469.4133
25:¥454.2826
参考库存:4320
1N5261B
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥24.0464
10:¥19.3682
100:¥17.5941
250:¥15.9104
参考库存:39958
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