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分立半导体
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FDP2D3N10C

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数量单价合计
1
¥45.7989
45.7989
10
¥38.8833
388.833
100
¥33.7305
3373.05
250
¥31.9677
7991.925
500
¥28.7359
14367.95
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
222 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
152 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
FDP2D3N10C
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
222 S
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
74 ns
典型接通延迟时间
42 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FDP2D3N10C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZX84B36-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 0.35Watt 2%
1:¥2.3052
10:¥1.5481
100:¥0.75258
500:¥0.64523
3,000:¥0.3842
6,000:查看
参考库存:26296
BZX84B3V0-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.0Volt 0.35Watt 2%
1:¥2.3052
10:¥1.5481
100:¥0.75258
500:¥0.64523
10,000:¥0.28476
20,000:查看
参考库存:26299
BZX584C11-V-G-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管
1:¥3.2318
10:¥1.7741
100:¥0.95259
500:¥0.76049
3,000:¥0.49155
6,000:查看
参考库存:10152
AZ23B18-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 18 Volt 0.3W 2% CA
1:¥2.9945
10:¥1.6724
100:¥0.89157
500:¥0.71416
15,000:¥0.3842
参考库存:26304
RGL34BHE3/98
Vishay Semiconductors
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
1:¥3.2996
10:¥2.4973
100:¥1.8645
500:¥1.5255
2,500:¥1.07576
5,000:查看
参考库存:26307
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