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分立半导体
TK2P90E,RQS参考图片

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TK2P90E,RQS

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch TT-MOSVIII 900V 80W 500pF 2A
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库存：3,743(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥5.8082
58.082
100
¥4.4635
446.35
500
¥3.955
1977.5
2,000
¥2.7685
5537
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
4.7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
80 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
50 ns
商品其它信息
优势价格，TK2P90E,RQS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANSR2N2222AUB
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥734.9746
5:¥712.0017
10:¥689.0288
25:¥656.8238
参考库存:4837
2N2905A
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥112.1864
10:¥101.8921
25:¥94.2872
50:¥89.2135
参考库存:4873
RHU003N03T106
ROHM Semiconductor
分立半导体
MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
1:¥3.842
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:5276
1N5267B-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
稳压二极管 500mW 75V 1700 Ohm 0.1 uA 56Vr
1:¥1.695
10:¥1.13
100:¥0.5537
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:12951
SMBT 2907A E6327
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT PNP 60V 0.6A
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:49256
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