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分立半导体
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2N1131

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50Vcbo 50Vcer 35Vceo 0.6A Ic 2.0W PNP
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数量单价合计
1
¥48.8725
48.8725
10
¥48.4883
484.883
25
¥44.183
1104.575
100
¥39.8777
3987.77
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
最大直流电集电极电流
0.6 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
15 at 5 mA, 10 V
Pd-功率耗散
600 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
零件号别名
2N1131 PBFREE
单位重量
1.006 g
商品其它信息
优势价格，2N1131的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTA113ZUAT106
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10:¥1.2882
100:¥0.45313
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BC 857B E6433
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1:¥1.3786
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.29945
10,000:¥0.20001
20,000:查看
参考库存:12261
DTA123JUAT106
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:11478
BSP61H6327XTSA1
Infineon Technologies
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达林顿晶体管 AF TRANSISTORS
1:¥3.2996
10:¥2.7346
100:¥1.6724
1,000:¥1.2882
2,000:¥1.09836
参考库存:7231
NVMFS5832NLT1G
ON Semiconductor
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MOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1359
500:¥5.424
1,000:¥4.2827
1,500:¥3.7968
参考库存:4662
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