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分立半导体
SQ3460EV-T1_GE3参考图片

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SQ3460EV-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V 8A 3.6W AEC-Q101 Qualified
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库存：6,397(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥5.9777
59.777
100
¥4.5878
458.78
500
¥3.955
1977.5
1,000
¥3.1075
3107.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.05 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
28 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格，SQ3460EV-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD85025-E
STMicroelectronics
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥220.0675
5:¥217.8414
10:¥203.0158
25:¥193.8628
参考库存:24772
VS-VSKDS208/060
Vishay Semiconductors
分立半导体
分立半导体模块 100 Amp 60 Volt 15000 Amp IFSM
1:¥315.8124
5:¥307.4391
10:¥295.5289
参考库存:24775
T1601N36TOFXPSA1
Infineon Technologies
分立半导体
SCR模块 HIGH POWER THYR / DIO
1:¥11,310.622
参考库存:24778
FDMS3668S
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:24781
APTMC120AM55CT1AG
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - SiC
1:¥1,844.6233
5:¥1,799.1295
10:¥1,755.8731
25:¥1,692.0168
参考库存:24784
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