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分立半导体
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SD56120

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 14 Amp
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数量单价合计
1
¥1,229.9824
1229.9824
5
¥1,200.399
6001.995
10
¥1,170.5783
11705.783
25
¥1,154.2159
28855.3975
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
14 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M246
封装
Tube
配置
Dual
高度
5.08 mm
长度
29.08 mm
工作频率
1 GHz
系列
SD56120
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.97 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
3 S
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
217 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
60
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格,SD56120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 35V 18A IF Single TO-220AC
1:¥11.6842
10:¥9.605
100:¥7.3563
500:¥6.328
参考库存:5194
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稳压二极管 2.02-2.2V 500mW SOD-323HE 20mA
1:¥2.8476
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:6906
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP -50 VCEO -0.1A SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:13188
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥10.6785
10:¥8.7575
100:¥6.7687
500:¥5.8195
1,000:¥4.5991
3,000:¥4.5991
参考库存:7670
分立半导体
稳压二极管 1000mW Pd SOD-128 PMDTM 9.1Vz(V) Min
1:¥2.9154
10:¥2.2035
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
参考库存:7060
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