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分立半导体
STD11N65M2参考图片

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STD11N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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数量单价合计
1
¥15.0629
15.0629
10
¥12.7577
127.577
100
¥10.2152
1021.52
500
¥8.9948
4497.4
2,500
¥6.8817
17204.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
670 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
12.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
85 W
商标名
MDmesh II Plus
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
Power MOSFET
系列
STD11N65M2
商标
STMicroelectronics
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
9.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STD11N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RGP10A-E3/73
Vishay Semiconductors
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二极管 - 通用，功率，开关 1.0A 50 Volt 150ns
12,000:¥0.56048
24,000:¥0.52997
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50:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
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参考库存:27056
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10,000:¥0.13786
20,000:¥0.13108
50,000:¥0.11526
100,000:¥0.09266
参考库存:27059
TPH8R008NH,L1Q
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5,000:¥4.9155
10,000:¥4.7234
参考库存:27062
BUK9610-100B,118
Nexperia
分立半导体
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
4,800:¥6.8478
9,600:¥6.5879
参考库存:27065
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