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分立半导体
TS1220-600B参考图片

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TS1220-600B

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库存:5,444(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.2207
3610.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
SCR
RoHS
系列
TS1220
额定重复关闭状态电压 VDRM
600 V
关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)
5 uA
Vf - 正向电压
1.6 V
最大栅极峰值反向电压
8 V
栅极触发电压-Vgt
800 mV
栅极触发电流-Igt
0.2 mA
保持电流Ih最大值
5 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252
封装
Tube
电流额定值
12 A
类型
12 A SCRs
商标
STMicroelectronics
不重复通态电流
115 A
产品类型
SCRs
工厂包装数量
3000
子类别
Thyristors
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,TS1220-600B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET TO-220 MOSFET
1,000:¥5.5031
2,000:¥4.7234
4,000:¥4.3053
10,000:¥3.9211
参考库存:52862
分立半导体
整流器 Ultrafast recovery 1200 V diode
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6105
500:¥5.8421
参考库存:6866
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
1:¥31.5044
10:¥26.7358
100:¥23.2102
250:¥21.9785
1,000:¥16.6788
2,000:查看
参考库存:6079
分立半导体
MOSFET P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 30 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 package
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
3,000:¥3.0623
9,000:查看
参考库存:8082
分立半导体
稳压二极管
100:¥575.6107
参考库存:52871
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