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分立半导体
IRLR8729TRLPBF参考图片

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IRLR8729TRLPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 58A 8.9mOhm 30V 10nC Qg log lvl
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
3,000
¥1.3334
4000.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
58 A
Rds On-漏源导通电阻
8.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.35 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
55 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
91 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
47 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001552874
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRLR8729TRLPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 T MET BI 1500W 9.1V
250:¥100.0502
500:¥89.0553
1,000:¥85.8348
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分立半导体
整流器 1A,100V,25NS,Planar FER RECT,SMD
1:¥4.1471
10:¥2.3843
100:¥1.3899
500:¥1.13
3,000:¥0.76049
6,000:查看
参考库存:54234
分立半导体
双向可控硅 200V 8A 25-25-25mA
1:¥14.3736
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
参考库存:54237
分立半导体
SCR PCT 2600V 2490A
1:¥5,066.4454
5:¥4,761.0855
参考库存:54240
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5017HS-1GHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:54243
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