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分立半导体
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AUIRGDC0250

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V IGBT 81A Auto 1.37V at 33A Low VCE
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100
¥34.6571
3465.71
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.57 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
141 A
Pd-功率耗散
543 W
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
141 A
商标
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
50
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001511678
单位重量
6 g
商品其它信息
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