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分立半导体
IRF6614TRPBF参考图片

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IRF6614TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 40V 1 N-CH 5.9mOhm DirectFET 1.8Vgs
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库存:18,415(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.4472
17.4472
10
¥14.8256
148.256
100
¥11.8311
1183.11
500
¥10.3734
5186.7
4,800
¥7.7631
37262.88
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-ST
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
12.7 A
Rds On-漏源导通电阻
7.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19 nC
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
商标名
DirectFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
4.85 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.95 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001527924
商品其它信息
优势价格,IRF6614TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥20.1366
10:¥17.063
100:¥13.673
500:¥11.9893
参考库存:5765
分立半导体
MOSFET 20V N channel Mosfet
1:¥4.7686
10:¥3.7629
100:¥2.5764
500:¥1.7628
2,500:¥1.1865
10,000:查看
参考库存:9903
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 RECOMMENDED ALT 755-EMH61T2R
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:10650
分立半导体
桥式整流器 10 Amp 1000 Volt 220 Amp IFSM
1:¥10.7576
10:¥9.831
100:¥7.5823
500:¥5.6274
参考库存:5933
分立半导体
MOSFET TBD
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4071
500:¥5.6613
2,500:¥3.9663
10,000:查看
参考库存:5257
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