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分立半导体
2SB1124T-TD-E参考图片

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2SB1124T-TD-E

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW-SATURATION VOLTAGE
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1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5708
35.708
100
¥2.3052
230.52
1,000
¥1.8419
1841.9
2,000
¥1.5594
3118.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
增益带宽产品fT
150 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SB1124
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
3 A
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
131 mg
商品其它信息
优势价格,2SB1124T-TD-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:27356
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