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分立半导体
TPN30008NH,LQ参考图片

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TPN30008NH,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 22A 27W UMOSVIII 710pF 11nC
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数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥6.441
64.41
100
¥4.1584
415.84
1,000
¥3.3222
3322.2
3,000
¥2.8024
8407.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSON-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11 nC
Pd-功率耗散
27 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3.1 mm
系列
TPN30008NH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.1 mm
商标
Toshiba
下降时间
3.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格,TPN30008NH,LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥3.5369
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1:¥2.5312
10:¥1.6498
100:¥0.80682
1,000:¥0.46895
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参考库存:8267
分立半导体
稳压二极管 27 to 30.8V; 10mA 1000mW
1:¥3.3787
10:¥2.7685
100:¥1.6837
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:7190
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VR=40V, IO=200mA
1:¥2.3052
10:¥1.4803
100:¥0.66896
1,000:¥0.42262
4,000:¥0.32318
参考库存:11693
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier Diode
1:¥5.6048
10:¥5.0737
100:¥4.6104
500:¥3.9776
参考库存:4826
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