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分立半导体
STD7N65M2参考图片

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STD7N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
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数量单价合计
1
¥11.6842
11.6842
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.6388
763.88
500
¥6.7461
3373.05
2,500
¥4.7234
11808.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.15 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
Power MOSFET
系列
STD7N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD7N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 51v
1:¥1.5368
10:¥1.3108
100:¥0.85315
1,000:¥0.28476
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:22410
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桥式整流器 10A, 600V, G.P., INLINE BRIDGE RECTIFIER
1:¥11.0627
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥5.7856
1,000:¥4.2827
2,000:¥4.1923
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1:¥2.9945
10:¥1.6724
100:¥0.791
1,000:¥0.5537
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1:¥3.4578
10:¥3.1527
100:¥2.0792
1,000:¥0.69156
1,800:¥0.5763
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稳压二极管 0.50W, VR=6.8V
1:¥2.147
10:¥1.356
100:¥0.61472
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.29945
参考库存:22422
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