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分立半导体
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BST39TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
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库存:33,081(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
2,000
¥0.95259
1905.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
350 V
集电极—基极电压 VCBO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
70 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BST39
直流电流增益 hFE 最大值
40
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格,BST39TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Nch MOS FET
1:¥7.8422
10:¥6.0681
100:¥5.3223
500:¥4.7573
1,000:¥3.1414
3,000:¥3.1414
参考库存:6906
分立半导体
整流器 1300 Volt 1.0 Amp 25 Amp IFSM
1:¥3.7629
10:¥2.1809
100:¥1.2769
500:¥1.03734
3,000:¥0.69156
6,000:查看
参考库存:18305
分立半导体
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in I2PAK package
1:¥16.2155
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.6841
1,000:¥7.9891
参考库存:4888
分立半导体
MOSFET DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF
1:¥114.3334
10:¥103.8922
25:¥96.1291
50:¥90.9763
参考库存:3972
分立半导体
MOSFET NFET DPAK 40V SPCL
1:¥8.2264
10:¥6.9721
100:¥5.3562
500:¥4.7347
2,500:¥3.3109
10,000:查看
参考库存:6414
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