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分立半导体
FP150R12KT4参考图片

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FP150R12KT4

  • Infineon / IR
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库存:2,499(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,910.4684
1910.4684
5
¥1,864.4435
9322.2175
10
¥1,818.1926
18181.926
25
¥1,792.6772
44816.93
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
20 mW
封装 / 箱体
EconoPIM 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon / IR
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP150R12KT4BPSA1 SP001603812
商品其它信息
优势价格,FP150R12KT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管
100:¥70.3086
200:¥64.0823
500:¥60.0143
1,000:¥55.0197
参考库存:54680
分立半导体
稳压二极管
1:¥43.0304
10:¥34.578
100:¥31.5835
200:¥28.5099
500:¥25.5832
参考库存:54683
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 Diode 600V 2A
暂无价格
参考库存:54686
分立半导体
稳压二极管
100:¥27.5833
258:¥27.5833
500:¥24.8148
1,000:¥20.905
2,500:¥19.8993
参考库存:54689
分立半导体
稳压二极管
100:¥71.6194
110:¥71.6194
200:¥65.7773
500:¥59.9352
1,000:¥52.2512
参考库存:54692
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