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分立半导体
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FP150R12KT4

  • Infineon / IR
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数量单价合计
1
¥1,910.4684
1910.4684
5
¥1,864.4435
9322.2175
10
¥1,818.1926
18181.926
25
¥1,792.6772
44816.93
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
20 mW
封装 / 箱体
EconoPIM 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon / IR
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP150R12KT4BPSA1 SP001603812
商品其它信息
优势价格，FP150R12KT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N4238
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥364.764
250:¥340.4012
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2N4857UB
Microsemi
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JFET JFET
100:¥519.5966
参考库存:50032
JANS2N2919L/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥1,149.7524
100:¥1,149.7524
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JANS1N4100D-1
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稳压二极管 Voltage Regulator
50:¥1,145.9104
参考库存:50041
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