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分立半导体

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APTGT50DDA120T3G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:1,466(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥497.539
497.539
5
¥482.4761
2412.3805
10
¥468.2607
4682.607
25
¥439.0615
10976.5375
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
270 W
封装 / 箱体
SP3F-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT50DDA120T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双向可控硅 TAPE13 3Q TRIAC
1:¥5.0737
10:¥4.0228
100:¥2.5312
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:19964
分立半导体
MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
参考库存:19967
分立半导体
稳压二极管 Tight Tolerance Zen
3,000:¥0.32318
9,000:¥0.27685
24,000:¥0.26103
45,000:¥0.24634
参考库存:19970
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:19973
分立半导体
稳压二极管 150MW 28V
3,000:¥0.5537
9,000:¥0.49155
24,000:¥0.46104
参考库存:19976
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