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分立半导体
STF25N60M2-EP参考图片

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STF25N60M2-EP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP package
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数量单价合计
1
¥30.51
30.51
10
¥25.8996
258.996
100
¥22.4418
2244.18
250
¥21.2892
5322.3
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
188 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STF25N60M2-EP
商标
STMicroelectronics
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，STF25N60M2-EP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV1N5551
Microsemi
分立半导体
整流器 Standard Rectifier (trr more than 500ns)
1:¥114.7967
10:¥104.3442
25:¥96.5133
50:¥91.2814
参考库存:29007
TZ800N12KOF
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分立半导体模块 1200V 1500A SINGLE
1:¥2,739.572
5:¥2,673.6478
10:¥2,607.2603
25:¥2,570.6822
参考库存:29010
UES1303
Microsemi
分立半导体
整流器 Diode Gen Purpose 150V 6A Axial
1:¥248.6565
5:¥237.5147
10:¥230.0567
25:¥211.3891
参考库存:6972
682-4
Microsemi
分立半导体
桥式整流器 3 Phase Bridge
1:¥2,295.595
2:¥2,240.3493
5:¥2,207.5341
10:¥2,176.3348
参考库存:29015
680-1
Microsemi
分立半导体
桥式整流器 Single Phase Bridge
1:¥1,278.9227
2:¥1,248.1867
5:¥1,229.9033
10:¥1,212.5352
参考库存:29018
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