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分立半导体
TPS1120D参考图片

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TPS1120D

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
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库存:4,702(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.4472
17.4472
10
¥14.8256
148.256
100
¥11.8311
1183.11
500
¥10.3734
5186.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
15 V
Id-连续漏极电流
1.17 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
2 V, - 15 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
840 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
TPS1120
晶体管类型
2 P-Channel
类型
PMOS Switches
宽度
3.9 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
76 mg
商品其它信息
优势价格,TPS1120D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR PCT 1400V 590A
1:¥878.4394
5:¥862.303
10:¥823.4988
25:¥796.0624
参考库存:3590
分立半导体
双向可控硅 600V 10A 50-50-50mA
1:¥18.4416
10:¥14.8256
100:¥11.9102
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:4009
分立半导体
双向可控硅 THY 4A 600V TRIAC
1:¥11.526
10:¥9.2999
100:¥7.1416
500:¥6.3054
参考库存:4609
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
参考库存:5590
分立半导体
分立半导体模块 220 Amp 30 Volt 18000 Amp IFSM
1:¥352.3905
5:¥343.0115
10:¥329.7227
参考库存:3600
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