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分立半导体
IPP110N20N3 G参考图片

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IPP110N20N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:1,147(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.2566
47.2566
10
¥42.7253
427.253
25
¥40.7252
1018.13
100
¥35.3464
3534.64
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
88 A
Rds On-漏源导通电阻
9.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
87 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
71 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPP110N20N3GXKSA1 IPP11N2N3GXK SP000677892
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP110N20N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Diode Zener 16.0V 200mW 5%
1:¥1.6159
10:¥1.07576
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:16649
分立半导体
桥式整流器 DFS GPP 1.5A 1000V
1:¥4.9946
10:¥3.6951
100:¥2.5199
1,000:¥1.7402
2,000:¥1.4916
参考库存:3426
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:8058
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 DIGITL NPN 50V 70MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:30907
分立半导体
MOSFET 42mOhm 650V 54A SiC Cascode Fast
1:¥273.2453
5:¥260.9509
10:¥252.8036
25:¥232.2828
参考库存:2815
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